聚焦ZnO、In2O3等透明导电薄膜材料的晶体生长机制研究，开发基于磁控溅射、溶液法的低成本制备工艺，实现材料导电能力、光学透过率以及成本的精准调控，突破传统材料光电性能相互牵制的瓶颈；新型p型透明导电材料开发，突破传统Cu基、NiO基材料局限，探索新型氧化物、硫化物、有机-无机杂化材料，探究材料的生长机制研究，开发基于磁控溅射、溶液法的低成本制备工艺，实现材料导电能力、光学透过率以及稳定性的精准调控，突破材料光电性能及稳定性差的瓶颈以及器件结构设计与性能优化，突破传统pn结结构，研究p型TCF/宽禁带n型半导体异质结，提升整流比和开关速度。优化p型TCF与n型透明半导体（如ZnO）的界面接触，解决界面势垒过高导致的导通电压大问题，实现低正向压降。同时，开发全透明封装材料，提升长期工作稳定性。